研发创新
科研团队
协鑫科技的科研团队拥有世界优秀的光伏专家和学者，并形成了以中外专家为科技带头人、具有深厚海外研究背景的青年学者为骨干力量、著名高校毕业的博士、硕士为后备力量的三级技术人才梯队。协鑫科技还将继续在全球范围内吸引一流人才，致力于打造世界一流的研发团队，重视各类研发人员的引进与培养，为研发人员搭建广阔的成长和发展平台。
国家地方联合工程研究中心
国家级博士后科研工作站
江苏省硅基电子材料重点实验室
CNAS认证的GCL检测技术中心
其他技术中心还有：
省石英坩埚工程研究中心 省多晶黑硅片工程技术研究中心 省氯氢化技术工程中心 省多晶硅材料工程技术研究中心 省方硅芯工程技术研究中心
协鑫科技重视知识产权管理投入，加强持续探索研发创新。累计申请专利1600余项，其中累计授权专利超过1200项，涉及硅烷流化床法颗粒硅、连续直拉单晶（CCz）、硅片切割工艺等各个技术领域。多项核心发明专利的授权为GCL的自主知识产权保护提供了有力支持。
世界领先的多晶硅制造技术
协鑫科技在具有自主知识产权的多晶硅生产技术上，突破性地采用硅烷流化床法（FBR）生产颗粒硅，硅烷转化率接近百分之百。与改良西门子法相比，FBR法具有低能耗、低成本等优势，生产的颗粒硅产品无需破碎、流动性好，能更好满足RCz法或CCz法直拉单晶硅工艺。
高品质颗粒硅，满足单晶用料需求
可连续生产，产品无需破碎，不引入二次污染
单套反应器年产能达五千吨、世界先进水平的流化床反应系统
钙钛矿前沿技术
协鑫科技子公司昆山协鑫光电材料有限公司全球首个吉瓦级大规格（1.2米×2.4米）钙钛矿叠层组件生产基地在建。钙钛矿组件效率屡破世界纪录，截至目前大尺寸叠层组件效率达26.36%@1.71m²，再攀新高度。
电子级多晶硅业务
协鑫科技与国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同发起设立的江苏鑫华半导体科技股份有限公司，成为迄今国内规模最大的半导体产业用电子级多晶硅生产企业，大规模集成电路用电子级多晶硅打破了国外技术及市场垄断，填补国内行业空白。
CCz技术研发（连续直拉单晶技术）
颗粒硅高流动性 + CCz高质高效 = 完美适配N型电池的上游科技
CCz技术，光伏单晶硅技术的重大变革：CCz连续直拉法采用特殊直拉单晶炉，晶棒拉制与加料熔化同时进行，坩埚为双层坩埚，颗粒硅通过加料器加入到外层坩埚内，石英挡板能够有效隔绝加料引起的熔液扰流，防止内层坩埚的拉制过程受到加料过程影响。
协鑫CCz已取得阶段性进展：目前协鑫CCz单台拉晶炉单产可达到185kg/d，已实现200MW中试产能。随着N型单晶和大直径单晶的推广，CCz的技术优势将会更加明显。
大尺寸硅片切割技术
升级设备结构、优化产线工艺，以完全匹配G12大硅片加工尺寸的技术要求，实现G12硅片从设备到工艺的全流程开发。
切片加工区域，实现区间可调设计方案，匹配不同尺寸硅棒的切片加工
协鑫科技独家开发“反切反”大尺寸切片技术，攻克大硅片钢线切割难度高、硅片精度差、加工良率低的技术难点
通过对大硅片的关键配套辅材开发，以提高切割效率，降低切割消耗。
科研基地
-
美国里奇兰研发中心 -
中国徐州研发中心 -
中国苏州研发中心
美国里奇兰研发中心
中国徐州研发中心
中国苏州研发中心
