FBR硅烷流化床法颗粒硅
GCL改良西门子法多晶硅
直拉单晶系列
Industry innovative diamondwire flake technology
P型或N型
间隙氧含量 ≤16ppma
替位碳含量 ≤1ppma
位错密度 ≤500cm-2
表面晶向 ＜100＞±3°
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