تقنية التنحيف الابتكارية بالسلك الماسي في الصناعة

رقاقة السيليكون الكهروضوئية

سلسلة السيليكون أحادي البلورية بطريقة تشوخرالسكي
  • M10:
    182.00 ± 0.25 مم
  • G12:
    210.00 ± 0.25 مم

مواصفات المنتج

نوع P أو نوع N

محتوى الأكسجين الخلالي أقل من 12 جزء في المليون

محتوى الكربون البديل أقل من 1 جزء في المليون

كثافة الخلع أقل من 500 سم2

اتجاه الكريستال السطحي ± 3 درجات

حقوق الطبع والنشر © 2024 GCL TECH جميع الحقوق محفوظة.

By clicking on the button “Accept” or by further usage of this website you express consent with usage of cookies as well as you grant us the permission to collect and process personal data about your activity on this website. Such information are used to determine personalised content and display of the relevant advertisement on social networks and other websites. More information about personal data processing can be found on this link. Learn more