保利协鑫“光伏芯”荣获2016年SNEC“十大亮点”最高级别太瓦级钻石奖
2019-10-05
5月26日,在2016年SNEC展览会临近尾声之际,保利协鑫“光伏芯”高效多晶技术历经三天评选,凭借出色的技术内涵及市场声誉在海量参选展品中脱颖而出,荣获本届展会“十大亮点评选”最高级别奖项——太瓦级钻石奖。
保利协鑫“光伏芯”高效多晶技术以最新一代“鑫多晶”S4为基底材料,应用金刚线切片技术大幅降低硅片加工成本,匹配以湿法黑硅技术,完美解决硅片制绒难题,使绒面结构非常接近直拉单晶产品,从而大幅提高多晶的转换效率。
高效多晶技术的理想组合
据介绍,保利协鑫“光伏芯”高度集成了多项最新的多晶技术,不仅应用了保利协鑫的最新鑫多晶研发成果S4硅片,更结合了金刚线切割工艺和湿法黑硅技术,制备GCL法多晶黑硅片,完美兼顾降本、提效双重目标。GCL法多晶黑硅片以金属合金诱导,产生纳米微孔结构,显著降低光反射率,提升4瓦至6瓦的组件输出功率,是高效多晶技术的理想解决方案。
根据多家电池厂商的生产数据,应用了保利协鑫“光伏芯”技术的多晶电池在普通工艺下效率达到了18.8%。而据市场预测,应用金刚线切割多晶硅片后,保利协鑫的硅片成本有望在现有结构线切割的基础上再降低15%。
“鑫多晶”S4自问世以来的高效、稳定的产品表现,是“光伏芯”的又一个技术亮点。“鑫多晶”S4应用了全新的共掺杂技术,显著降低电池光衰,可增加2.6瓦的组件输出功率;更大的产品尺寸,以及对黑边问题的有效改善,均可明显增加电池的转换效率。
凭借这些技术创新,“鑫多晶”S4获得了众多客户的认可。据保利协鑫技术负责人介绍,公司在江苏、山西等地的多家客户基于“鑫多晶”S4制作的组件产品,顺利取得由中国质量认证中心颁发的“领跑者”认证证书。基于S4的GCL法多晶黑硅片还可应用PERC等高效电池技术,制备更高效率电池,带来更加超值的回报,助推“光伏领跑者”之路。
保利协鑫“光伏芯”高效多晶技术以最新一代“鑫多晶”S4为基底材料,应用金刚线切片技术大幅降低硅片加工成本,匹配以湿法黑硅技术,完美解决硅片制绒难题,使绒面结构非常接近直拉单晶产品,从而大幅提高多晶的转换效率。
高效多晶技术的理想组合
据介绍,保利协鑫“光伏芯”高度集成了多项最新的多晶技术,不仅应用了保利协鑫的最新鑫多晶研发成果S4硅片,更结合了金刚线切割工艺和湿法黑硅技术,制备GCL法多晶黑硅片,完美兼顾降本、提效双重目标。GCL法多晶黑硅片以金属合金诱导,产生纳米微孔结构,显著降低光反射率,提升4瓦至6瓦的组件输出功率,是高效多晶技术的理想解决方案。
根据多家电池厂商的生产数据,应用了保利协鑫“光伏芯”技术的多晶电池在普通工艺下效率达到了18.8%。而据市场预测,应用金刚线切割多晶硅片后,保利协鑫的硅片成本有望在现有结构线切割的基础上再降低15%。
“鑫多晶”S4自问世以来的高效、稳定的产品表现,是“光伏芯”的又一个技术亮点。“鑫多晶”S4应用了全新的共掺杂技术,显著降低电池光衰,可增加2.6瓦的组件输出功率;更大的产品尺寸,以及对黑边问题的有效改善,均可明显增加电池的转换效率。
凭借这些技术创新,“鑫多晶”S4获得了众多客户的认可。据保利协鑫技术负责人介绍,公司在江苏、山西等地的多家客户基于“鑫多晶”S4制作的组件产品,顺利取得由中国质量认证中心颁发的“领跑者”认证证书。基于S4的GCL法多晶黑硅片还可应用PERC等高效电池技术,制备更高效率电池,带来更加超值的回报,助推“光伏领跑者”之路。