“在中国光伏产业发展过程中，特别是光伏装备的生产中，你们要做‘领跑者’！”国家发改委副主任、国家能源局局长努尔·白克力2015年11月6日考察协鑫能源中心时这样勉励协鑫集团董事长朱共山。

    去年12月11日，协鑫集团光伏龙头企业保利协鑫能源控股有限公司公布，将与国家集成电路产业投资基金成立合资公司江苏鑫华半导体材料科技有限公司，在国内建设用于研发、生产及销售半导体级多晶硅及其他半导体原材料和电化产品的生产设施。合资公司计划年产5000吨半导体用电子级多晶硅。

    根据合资协议，合资公司总投资额及初步注册资本将分别为20亿元及10.2亿元，保利协鑫与国家集成电路产业投资基金将就初步注册资本分别出资5.2亿元及5亿元。合资公司将由保利协鑫与国家集成电路产业投资基金分别占有50.98%及49.02%权益。保利协鑫同时宣布，旗下多晶硅企业江苏中能硅业与道生国际订立融资租赁协议。通过此次合作，协鑫将企业发展战略与国家发展战略相结合，将进一步加强公司在硅材料领域的领先地位。

    保利协鑫是太阳能级多晶硅和硅片供应商，多晶硅年产能向10万吨冲击，硅片产能向20吉瓦进军，占全球市场约三分之一，通过10年的努力，保利协鑫终结了光伏用多晶硅原料长期受制于欧美厂商垄断的被动历史，并且以优质低成本原料为引领，推动了中国光伏制造业的跨越发展，倒逼国外多晶硅产业在其本土的光伏原料需求萎缩的情况下，反而依赖中国光伏产品市场消化其多晶硅原料。

    保利协鑫新任总裁、首席执行官朱战军在3月末召开的全球投资人电话会议上公布， 2015年保利协鑫完成多晶硅产量74358吨，同比增长11.2%。硅片产量14968兆瓦，同比增长14.3%，销量15178兆瓦，同比增长17.6%。收益达到人民币217.66亿元，同比上升1.1%；毛利57.76亿元，同比上升16.1%，毛利率27%，同比提高3.8个百分点。保利协鑫产量的提升是在不新增加生产装置、少量技术改造支出的情况下，通过精细化管理和工艺技术进步实现的。生产环节的工艺改进提升了单位产能，设备的自动化改造提升了生产效率，使得产能利用率持续超过100%，在释放产能的同时降低了生产成本。

    保利协鑫通过技术升级向光伏电池组件端大量提供了相当于十年前十五分之一价格的优质低成本多晶硅，为光伏发电进入寻常百姓家庭作出核心贡献。2015年以来，在太阳能级多晶硅市场低迷而硅片供不应求的情况下，保利协鑫加大高效硅片业务延伸，减少多晶硅材料直接销售，目前业务组合中硅片业务占比提升到90%以上，直接销售多晶硅材料已经降到很小比例。此番联手大基金进军半导体多晶硅产业，意在突破中国半导体产业在原料端的短板。

    目前，我国电子级多晶硅大量依赖进口，国内从事硅材料业务的公司多为中小尺寸硅片生产公司。数据显示，2015年全球晶圆制造用硅片市场将达到509亿元，我国晶圆制造用硅片和硅基材料市场也将超过116亿元。随着我国集成电路产业的加速发展，对电子级多晶硅的需求也将不断增大，具备高品质多晶硅技术能力的保利协鑫在国家集成电路产业投资基金的推动下，将在一年后实现量产，这将对我国半导体材料国产化和集成电路产业健康可持续发展带来深远影响。

    3月28日，步入保利协鑫旗下位于徐州经济技术开发区的江苏中能硅业公司，绿草如茵，碧水微澜，映衬出“花园式工厂”的特有风貌。江苏中能硅业总经理蒋文武接受记者的采访时说，十年前，多晶硅每公斤的成本高达上百美元，现在我们已经把它降到十分之一以下，而且品质更高。不仅如此，协鑫还研发出硅烷流化床法的新工艺，完全可以将成本降到每公斤10美元以下，甚至8美元。十年前，每公斤多晶硅的能耗是165千瓦时电，现在硅烷流化床法只要25千瓦时电以下。十年前，晶体硅电池的光电转化效率只有不到15%，现在我们通过努力已经做到20%以上。能取得这些成绩，主要是企业依靠科技创新突破了材料和装备，掌握了核心发展力量。

    “去年12月份，我们与国家集成电路产业投资基金(CIF)联手并投资20亿元，在徐州创立江苏鑫华半导体材料科技有限公司，用于研发、生产及销售半导体级多晶硅及其他半导体原材料及电化产品的生产设施，首期年产5000吨半导体用电子级多晶硅。同时，新成立特种材料公司，建设CVD法碳化硅沉积项目，碳化硅涂层主要用于制作新一代高效节能的电力电子器件，建成后年产碳化硅涂层165炉，填补国内空白。在国家产业政策指导和扶持下发力大尺寸晶圆级硅材料,合资公司产业前景广阔。”这样的话语从中能硅业总经理蒋文武的口中说出，记者感受到发自内心的自豪。

    保利协鑫能源控股有限公司总裁、首席执行官朱战军透露，中国已经成为全球最大的集成电路市场，2014年的集成电路市场占全球市场份额52%，然而国产芯片自产率却严重不足，与巨大市场形成强烈反差，2014年，中国集成电路进口额已达到2865亿美元，约合1.8万亿元人民币，远超石油成为第一大进口商品。朱战军指出，此番联手CIF进军半导体多晶硅产业，意在助力中国半导体产业在原料端突破短板，进一步巩固保利协鑫作为全球领先多晶硅研发与制造商的领跑者和主导者地位。

    江苏中能硅业总经理助理、半导体项目/碳化硅项目副总指挥田新介绍，碳化硅涂层具有熔点高、硬度大、强度高、耐磨蚀、抗氧化的特点，广泛应用于化工、电子、航天、光伏等领域。CVD法碳化硅涂层产品在半导体材料生产中应用广泛，且更换频繁，以前都是委托国外加工成本很高，周期很长。CVD法碳化硅沉积项目的成功投产能够解决国内企业对高品质碳化硅涂层材料的需求，缩短供应周期，对推动第三代半导体材料、器件产业发展，打破国外技术垄断，提升我国核心国际竞争力与支撑落实节能减排战略具有重要的现实意义。

    目前，首期年产5000吨半导体用电子级多晶硅项目的基础设施已全部完工，关键设备也已订制完成，所有设备全部按照光滑、钝化要求进行了机械清洗和无尘布擦洗，预计今年年底可完成全部设备改造和新设备安装，进行开车调试。再经过半年至一年的时间提升产能，预计2017年底可以给国内晶圆企业批量供货，2018年可覆盖国内所有半导体生产厂家。其中，首期年产5000吨半导体用电子级多晶硅中，安排生产国外对我国实施技术封锁的区熔级多晶硅1000吨。区熔级多晶硅主要应用在特高压、高铁变频、充电桩等高端电器上面，价格高出直拉电子级多晶硅3倍左右。

    CVD法碳化硅沉积项目是硅基材料的一个延伸，主要用于石墨内衬、满足耐高温要求，还有抗冲刷分布器，LED晶体耐高温、耐腐蚀托盘，半导体行业高纯石墨热场等领域。这一项目的设备安装基本结束，本月进行设备调试。该项目的投产，将打破国外个别企业对这一行业的垄断，填补国内在石墨碳化涂层这一复合涂层材料的空白。